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Título: Modelado comportamental de dispositivos basados en Ag/TiO2/ITO con efecto memristivo
Autores: JESUS JIMENEZ LEON
Fecha: 2017-02
Publicador: INAOE
Fuente:
Tipo: info:eu-repo/semantics/masterThesis
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Tema: info:eu-repo/classification/Memristor/Memristor
info:eu-repo/classification/Modelado del memristor/Modeling the memristor
info:eu-repo/classification/Conmutación resistiva/Resistive switching
info:eu-repo/classification/cti/1
info:eu-repo/classification/cti/22
info:eu-repo/classification/cti/2203
Descripción: Se presenta el desarrollo de una metodología de modelado memristivo para dispositivos basados en películas delgadas de dióxido de titanio (TiO2) depositadas sobre óxido de estaño e indio (ITO) y utilizando contactos de plata (Ag). Para probar su efectividad, esta metodología ha sido aplicada para obtener expresiones analíticas para las variables eléctricas —resistencia y corriente— en dispositivos cuyo espesor de película de TiO2 es de 100 nm y 50 nm. El resultado es una función definida a trozos, cuyas expresiones están basadas en un polinomio de grado variable, elegido en función de la reducción del error cuadrático medio normalizado. La comparación entre los datos experimentales y las funciones analíticas propuestas muestran una similitud de, al menos, 88% para la resistencia en función del tiempo y mayor a 95% para la corriente en el tiempo.
Idioma: spa