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Título: Estudio de pasivación de sustratos de c-Si y texturizado por plasma para aplicaciones en celdas solares de heterounión
Autores: DULCE GUADALUPE MURIAS FIGUEROA
Fecha: 2016-06-24
Publicador: INAOE
Fuente:
Tipo: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Tema: info:eu-repo/classification/Textura del plasma/Plasma Texturing
info:eu-repo/classification/Silicon/Amorphous Silicon
info:eu-repo/classification/Elementos pasivos/Passivation
info:eu-repo/classification/cti/7
info:eu-repo/classification/cti/33
info:eu-repo/classification/cti/3312
Descripción: En esta tesis, se reporta la optimización en la formación de estructuras tipo piramidales en la superficie de sustratos de silicio cristalino (c-Si), obtenidas por procesos de texturizado de plasma de SF6/O2. Las obleas de c-Si texturizadas tienen valores de reflectancia difusa muy bajas, de hasta 2.9%. Estos valores son mucho más bajos que los reportados utilizando procesos de texturizado húmedos basados en soluciones de KOH y NaOH, los que se encuentran en un rango de 12-14%. También se hace énfasis en la dependencia que la uniformidad y forma del texturizado tienen con la temperatura del substrato y cómo éste parámetro contribuye a obtener superficies altamente texturizadas. Siendo esta aportación la más importante de este trabajo, ya que no se había reportado en la literatura.
Idioma: spa