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Título: Caracterización de dispositivos memristivos basados en estructuras MIM fabricados a baja temperatura
Autores: RENE VALDERRAMA BERNARDINO
Fecha: 2013-11
Publicador: INAOE
Fuente:
Tipo: info:eu-repo/semantics/masterThesis
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Tema: info:eu-repo/classification/Nonvolatile RAM/Nonvolatile RAM
info:eu-repo/classification/Resistividad electrica/Electrical resistivity
info:eu-repo/classification/Al2O3/Al2O3
info:eu-repo/classification/cti/1
info:eu-repo/classification/cti/22
info:eu-repo/classification/cti/2203
Descripción: El proceso tecnológico y el escalamiento de los dispositivos electrónicos han llevado a la exploración de nuevas áreas en la industria de dispositivos semiconductores y de memorias no-volátiles (NVM). Las últimas generaciones de memorias de datos no-volátiles tienen características tales como una alta densidad y bajo costo, acceso rápido de escritura y lectura, baja energía de operación, alto desempeño con respecto a la retención de datos, etc. Actualmente, diversos dispositivos de memoria flash basados en silicio presentan características de desempeño eficientes debido a su alta densidad de integración monolítica y bajo costo de fabricación. Sin embargo el continuo incremento en la densidad de estos dispositivos (reduciendo con ello las dimensiones geométricas físicas de los mismos) ha orillado a caer en los límites físicos de operación y en un alta corriente de fuga debido a la reducción en el espesor físico del dieléctrico clásico (oxido de silicio SiO2). Para cubrir estos problemas, una variedad de conceptos de memoria alternativos está siendo explorada, más notablemente memorias emergentes no-volátiles basadas en el recientemente descubierto efecto menristivo o resistencia con memoria. El comportamiento de memristancia es el cambio entre dos estados resistivos, uno altamente resistivo (HRS) y otro ligeramente resistivo (LRS). Los óxidos metálicos binarios presentan propiedades de conmutación resistiva, alta constante dieléctrica (mayor que el SiO2) que permite aumentar el espesor físico de los óxidos, mientras se mantiene la misma capacitancia y con ello la notable disminución de la corriente de fuga en los dispositivos MOS, además de su alta compatibilidad con los procesos CMOS convencionales.
Idioma: spa