Mediante mediciones de SIMS, encontramos evidencia de difusión de impurezas residuales hacia el bulto de películas de GaN cubico no intencionalmente dopadas. El análisis de imágenes de espectroscopía de masas de iones secundarios (SIMS) revela que la difusión es propiciada…
Fecha:
2013-06-14
Recurso:
Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Occidente - México
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