| Título: | Modelo de corriente de fuga en estructuras de unión p-n fabricados a base de nitruros del grupo III en fase cubica |
| Autores: | Martínez-Guerrero, Esteban |
| Fecha: |
2013-06-14 2013-06-14 2003-09-30 |
| Publicador: | Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Occidente - México |
| Fuente: |
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| Tipo: | Conference paper |
| Tema: |
GaN P-N Junctions I-V Leackage Current Model |
| Descripción: |
Mediante mediciones de SIMS, encontramos evidencia de difusión de impurezas residuales hacia el bulto de películas de GaN cubico no intencionalmente dopadas. El análisis de imágenes de espectroscopía de masas de iones secundarios (SIMS) revela que la difusión es propiciada por las fallas de apilamiento. La profundidad a la que las impurezas residuales difunden, concuerda con la distancia a la que la densidad de fallas de apilamiento alcanza su valor mínimo. Mediciones de microscopía electrónica en transmisión (TEM) muestran una alta densidad de fallas de apilamiento en las zonas de contacto ohmico de diodos de unión p-n fabricados con GaN cúbico. De acuerdo con datos reportados en la literatura que indican conducción parásita a través de defectos estructurales y con base en estos resultados, se propone un modelo de corriente de fuga en diodos de unión p-n de GaN cúbico que degradan su desempeño y/o provocan su falla. ITESO, A.C. Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, Mexico |
| Idioma: | Español |