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1.
Modelado no lineal de los capacitores intrínsecos Cgs y Cgd de los transistores de efecto de campo de tecnología GaN, Nonlinear modeling of intrinsic capacitances Cgs and Cgd of the field-effect transistors based on GaN technology
Perla Yessenia Romero Rojas
Formato: info:eu-repo/semantics/masterThesis
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Fecha: 2010
Recurso: CICESE