| Título: | CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE INxGA1-xN DEPOSITADAS POR CVD Y MOCVD SOBRE SUBSTRATOS DE SI Y AU/SIO2 |
| Autores: | ANTONIO RAMOS CARRAZCO |
| Fecha: | 2015-06 |
| Publicador: | CIMAV |
| Fuente: |
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| Tipo: | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
| Tema: |
info:eu-repo/classification/cti/2 info:eu-repo/classification/cti/23 |
| Descripción: | El crecimiento de los nitruros del grupo III (InN-GaN-AlN) es un factor importante en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. La investigación sobre el efecto de los substratos en los depósitos de nanoestructuras y microestructuras de estos nitruros se ha convertido en un tema de investigación actual. En este proyecto de investigación se reporta el efecto de los substratos de silicio y dióxido de silicio cubierto con una capa de oro sobre el crecimiento del nitruro de galio-indio usando los métodos de depósito por vapor químico y de depósito por vapor químico organometálico. Las propiedades de estructura cristalina, superficie y emisión del InGaN son estudiadas utilizando las técnicas de caracterización de difracción de rayos X, microscopia electrónica, termoluminiscencia y catodoluminiscencia. |
| Idioma: | |
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