| Título: |
Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante |
| Autores: |
Molinar Solís, J E; Universidad Autónoma del Estado de México Ponce Ponce, V H; IPN García Lozano, R Z; Universidad Autónoma del Estado de México Díaz Sanchez, A; Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica INAOE Rocha Pérez, j M; Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica INAOE |
| Fecha: | 2010-07-30 |
| Publicador: | Revistas UNAM |
| Fuente: |
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| Tipo: | |
| Tema: |
FG-inverter; neuMOS; floating-gate inversor de compuerta flotante; NeuMOS; compuerta flotante |
| Descripción: |
This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factor g, of CMOS floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. With the methodology proposed in this paper, the g factor and other parasiticcapacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. This parameter plays animportant role in modern analog and mixed-signal CMOS circuits, since it limits the circuit performance. Theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal CMOS AMI-ABN process with 1.2mm design rules, were compared. The extracted parameters can be incorporated into floating-gate PS pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation. En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia g de la compuerta flotante en inversores CMOS, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor g y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. Estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas detecnología AMIABN de 1.2mm, a través de la organización MOSIS. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en PSpice para obtener simulaciones más precisas. |
| Idioma: | Inglés |
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