| Título: | Electrical characterization of planarized a-SiGe:H Thin-film Transistors |
| Autores: |
Dominguez,M. Rosales,P. Torres,A. |
| Fecha: | 2013-02-01 |
| Publicador: | SCIELO |
| Fuente: |
 |
| Tipo: | journal article |
| Tema: |
Thin-film transistor hydrogenated amorphous silicon-germanium low-temperature spin-on glass spice |
| Descripción: | In this work the electrical characterization of n-channel a-SiGe:H TFTs with planarized gate electrode is presented. The planarized a-SiGe:H TFTs were fabricated at 200°C on corning glass substrate. The devices exhibit a subthreshold slope of 0.56 V/Decade, an on/off-current ratio approximately of 10(6) and off-current approximately of 0.3 × 10-12 A. The results show an improvement of the electrical characteristics when are compared to those unplanarized devices fabricated at higher temperature. Moreover, the simulation of the device using a SPICE model is presented. |
| Idioma: | Inglés |
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