| Título: | Resistencia mecánica ideal de C, Si y Ge con estructura cúbica: un estudio de primeros principios |
| Autores: |
Bautista Hernández,A. Salazar Villanueva,M. Pérez Sánchez,F.L. Vázquez Cuchillo,O. Sánchez Ramírez,J.F. |
| Fecha: | 2011-10-01 |
| Publicador: | SCIELO |
| Fuente: |
 |
| Tipo: | journal article |
| Tema: |
Cálculos de primeros principios resistencia ideal módulos de elasticidad |
| Descripción: | Presentamos un estudio de la resistencia mecánica ideal a compresión de Carbono (C), Silicio (Si) y Germanio (Ge) con estructura cúbica (diamante), mediante cálculos de primeros principios. Parámetros de red, módulos de compresibilidad, de corte, Young y constantes de elasticidad son obtenidos como función del esfuerzo aplicado. Obtenemos buen acuerdo de los parámetros de red y constantes de elasticidad en ausencia de esfuerzo con respecto a reportes previos experimentales y teóricos. Mediante los criterios de Born-Wang y estabilidad fonónica estudiamos la resistencia mecánica ideal de cada elemento. Los valores de los esfuerzos máximos (773, 19.5 y 21.7 GPa para el C, Si y Ge, respectivamente) se explican en términos de la estructura de bandas, densidades de carga y poblaciones atómicas. |
| Idioma: | Español |
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