| Título: | Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2 |
| Autores: |
Power,Ch. Calderón,E. González,J. Chervin,J.C |
| Fecha: | 2011-02-01 |
| Publicador: | SCIELO |
| Fuente: |
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| Tipo: | journal article |
| Tema: |
Semiconductores I-III-VI2 infrarrojo altas presiones |
| Descripción: | En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS2, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro-espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2-6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (ε0) y de alta frecuencia (ε∞). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS2 pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7]. |
| Idioma: | Español |
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