Título: Effect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontacts
Autores: Vorobets,M.O
Fecha: 2010-12-01
Publicador: SCIELO
Fuente:
Tipo: journal article
Tema: Semiconductors
heterostructures
electrical properties
Descripción: Barrier structures were produced using optical contact between the indium and gallium selenides. The effect of mechanical pressure ranging from 0 to 100 kPa on the electrical properties of the GaSe/InSe heterocontacts was investigated. The data was analyzed assuming the SIS (semiconductor - insulator - semiconductor) model. Using this model we were able to explain the current - voltage dependence. It was found that the modification of heteroboundary significantly affects the electric transport.
Idioma: Inglés

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