| Título: | Estudio de la cristalización de Cu2O y su caracterización por difracción de rayos X, espectroscópica Raman y fotoluminiscencia |
| Autores: |
Solache-Carranco,H. Juárez-Díaz,G. Martínez-Juárez,J. Peña-Sierra,R. |
| Fecha: | 2009-10-01 |
| Publicador: | SCIELO |
| Fuente: |
 |
| Tipo: | journal article |
| Tema: |
Cu2O cristalización óxidos semiconductores difracción de rayos X espectroscópica Raman fotoluminiscencia |
| Descripción: | Se reportan los resultados de la cristalización de óxido cuproso (Cu2O) por el método de cristalización secundaria de sustratos de óxido de cobre policristalino en atmósfera de aire seco. El método consiste de dos etapas; en la primera se oxidan placas de cobre policristalino a 1020°C por algunas horas acorde con su espesor, en la segunda se promueve el crecimiento de los cristalitos por recocido térmico a temperaturas de ~1100°C por varias decenas de horas. Se estudió la cinética de crecimiento de los cristales, y las muestras de Cu2O se caracterizaron por difracción de rayos-X (DRX), espectroscópica Raman y fotoluminiscencia (FL) en función de las condiciones de cristalización. Los resultados de la caracterización por Raman y DRX indican que en las muestras sólo existe la fase Cu2O. Las mediciones de FL para el intervalo de temperaturas de 10 a 180K permitieron identificar las principales vías de recombinación radiativa. Además de la transicion excitónica X° en 610 nm se detectaron tres bandas en 720, 810 y 920 nm generadas por recombinación de excitones ligados en vacancias de cobre y oxígeno. Las transiciones generadas por recombinación de excitones ligados a vacancias se modifican de acuerdo a la duración del proceso de cristalización. |
| Idioma: | Español |
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